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美国周二表示，已经撤销了许可证，禁止公司向被制裁的华为等公司运输芯片
- 据一名知情人士透露，一些公司在周二收到通知，称他们的许可证立即被撤销。此举是在上个月华为发布了首款AI功能笔记本电脑MateBook X Pro之后采取的。该电脑由英特尔（INTC.O）新推出的Core Ultra 9处理器提供动力。笔记本电脑的推出引发了共和党议员的抨击，他们称这表明美国商务部已经向英特尔发出了向华为出售芯片的许可证。商务部在一份声明中表示：“我们已经撤销了一些出口至华为的许可证。”该部门拒绝具体说明已撤销了哪些许可证。此举首次由路透社报道，此前，共和党的中国鹰派议员一直在施加压力，敦促
- 关键字：MateBook X Pro华为AI
第二季DRAM合约价涨幅上修至13~18%；NAND Flash约15~20%
- 据TrendForce集邦咨询最新预估，第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。403地震发生前，TrendForce集邦咨询原先预估，第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%；NAND Flash为13~18%，相较第一季涨幅明显收敛，当时从合约价先行指标的现货价格就可看出，现货价已出现连续走弱，上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因，主要是除了AI以外的终端需求不振，尤其笔电、智能手机
- 关键字：DRAMNAND FlashTrendForce
2025年HBM价格调涨约5~10%，占DRAM总产值预估将逾三成
- 根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM（Conventional DRAM）高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面，2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。2024年HBM
- 关键字：HBMDRAMTrendForce
如何减少光学器件的数据延迟
- 光子学和电子学这两个曾经分离的领域似乎正在趋于融合。
- 关键字：3D-IC
存储大厂技术之争愈演愈烈
- AI、大数据等应用催生海量存储数据需求，也对存储技术提出了更高要求，这一背景下，存储大厂技术竞争愈演愈烈。闪存方面，大厂聚焦层数突破。近期，韩媒报道，三星电子预计将于本月晚些时候量产第九代V-NAND闪存，该公司已于2022年量产了236层第八代V-NAND闪存，即将量产的第九代V-NAND闪存将继续使用双闪存堆栈的结构，层数将达到290层。另据业界预测，三星未来第十代V-NAND层数有望达到430层，届时三星将换用三堆栈结构。而更遥远的未来，三星、铠侠两家厂商透露将发力1000层闪存。三星计划2030年
- 关键字：存储器DRAMTrendForce
3D DRAM进入量产倒计时
- 在 AI 服务器中，内存带宽问题越来越凸出，已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下，HBM 内存很火，它相对于传统 DRAM，数据传输速度有了明显提升，但是，随着 AI 应用需求的发展，HBM 的带宽也有限制，而理论上的存算一体可以彻底解决「存储墙」问题，但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下，3D DRAM 成为了一个 HBM 之后的不错选择。目前，各大内存芯片厂商，以及全球知名半导体科研机构都在进行 3D DRAM 的研发工作，并且取得了不错的进展，距离成熟产品量产不远了。据首尔半导体行业
- 关键字：3D DRAM
高通骁龙 X Elite 芯片初上手：跑分亮眼、功耗优异、AI 性能出色
- 4 月 8 日消息，国外科技媒体 Windows Latest 几周前受邀前往高通位于圣迭戈的总部，亲身体验了骁龙 X Elite 平台产品，在最新博文中分享了跑分、游戏实测和 NPU 性能等相关信息。跑分该媒体使用 3D Mark、Jetstream 等软件进行了相关测试，IT之家基于该媒体报道，附上 23W 骁龙 X Elite 处理器（系统瓦数，而非封装瓦数）和英特尔酷睿 Ultra 7 155H 处理器的跑分对比：跑分 Snapdragon X Elite 23w Intel Core Ultra
- 关键字：高通骁龙 X Elite芯片AI
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